［古本］状態：並上
著者/訳者 権田俊一／編集 谷口研二／編集
出版社名 丸善
発行年月 2009年11月
ISBN978-4-621-08208-9
20101001
目次
１ 序論（スケーリング則とムーアの法則
集積ナノデバイスの諸問題 ほか）
２ ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作
ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル ほか）
３ 微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ
移動度向上技術（ひずみＳｉ、新チャネル材料））
４ 微細化・集積化にともなう諸問題（スケーリングによる微細化とその課題
微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性 ほか）
５ 将来展望（将来に向けての技術動向
集積ナノデバイスマップ ほか）
