［古本］状態：並上
著者/訳者 權田俊一／編集 谷口研二／編集
出版社名 丸善
発行年月 2011年01月
978-4-621-08339-0
20111016
１ パワーデバイスの世界（パワーデバイスの定義
電力変換の基礎
電力増幅の基礎
電力変換と電力増幅）
２ パワーデバイスの基礎（パワーデバイスの種類
パワーデバイスの性能
半導体デバイスの基礎理論）
３ シリコンパワーデバイス（電力変換デバイスの種類とその特徴
ダイオード
ＭＯＳＦＥＴ
ＩＧＢＴ
パワーデバイスの新しい展開）
４ 化合物パワーデバイス（化合物半導体材料の特徴
シリコンカーバイドデバイス
窒化物パワーデバイス）
５ 高周波パワーデバイス（ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ））
