[古本]状態:並上
著者/訳者 権田俊一/編集 谷口研二/編集
出版社名 丸善
発行年月 2009年11月
ISBN978-4-621-08208-9
20101001
目次
1 序論(スケーリング則とムーアの法則
集積ナノデバイスの諸問題 ほか)
2 MOSトランジスタの基礎(MOSトランジスタの構造と動作
MOSトランジスタの1次近似モデル ほか)
3 微細トランジスタの性能向上(極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ
移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料))
4 微細化・集積化にともなう諸問題(スケーリングによる微細化とその課題
微細MOSFETの信頼性 ほか)
5 将来展望(将来に向けての技術動向
集積ナノデバイスマップ ほか)