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詳細

パワーデバイス 半導体デバイスシリーズ 4

価格: 4,410円(税別)
(税込: 4,851円)
定価: 5,985円
[古本]状態:並上

著者/訳者 權田俊一/編集 谷口研二/編集
出版社名 丸善
発行年月 2011年01月
978-4-621-08339-0
20111016

1 パワーデバイスの世界(パワーデバイスの定義
電力変換の基礎
電力増幅の基礎
電力変換と電力増幅)
2 パワーデバイスの基礎(パワーデバイスの種類
パワーデバイスの性能
半導体デバイスの基礎理論)
3 シリコンパワーデバイス(電力変換デバイスの種類とその特徴
ダイオード
MOSFET
IGBT
パワーデバイスの新しい展開)
4 化合物パワーデバイス(化合物半導体材料の特徴
シリコンカーバイドデバイス
窒化物パワーデバイス)
5 高周波パワーデバイス(ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HEMT)
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT))