[古本]状態:並 平成18年再刷。カバーに5ミリ程度の破れと軽い折れ跡あり。
著者/訳者名 Yuan Taur/著 Tak H.Ning/著 芝原健太郎/監訳 竹内潔/〔ほか〕訳
出版社名 丸善 (ISBN:4-621-07083-5)
発行年月 2002年09月
20080616/20090627
目次
デバイス物理の基礎
MOSFETデバイス
CMOSデバイス設計
CMOS性能因子
バイポーラデバイス
バイポーラデバイス設計
バイポーラ性能因子
CMOSプロセスフロー
最近のnpnバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
実効状態密度
アインシュタインの関係式
なだれ降伏の開始条件
サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
弱反転での量子学解
エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
真性ベース抵抗